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co2非金屬激光打標機

聚焦系統的作用是將平行的激光束聚焦于一點。主要采用f-θ透鏡，不同的f-θ透鏡的焦距不同，打標效果和范圍也不一樣，光纖激光打標機選用進口聚焦系統，其標準配置的透鏡焦距f=160mm，有效掃描范圍Φ110mm。用戶可根據需要選配型號的透鏡。1995年，ICF在“863計劃”中立項，開始研制跨世紀的巨型激光驅動器——“神光-Ⅲ”裝置，總體設計和關鍵技術研究已取得一系列高水平的成果。

可選配的F-θ透鏡有：

f=100mm，有效聚焦范圍Φ65mm。

f=160mm，有效聚焦范圍Φ110mm。

由于半導體二極管幾乎只發一種波長的光，所以由它泵浦產生的激光的單色性更好，激光的模式更佳，好的激光模式會使激光聚焦后的光點更小，能量更集中，取得更好的標記效果；

半導體及燈泵浦激光器都是采用ND:YAG（摻釹釔鋁石榴石）晶體作為激光產生的材料，它可將808nm的可見光轉換為1064nm的不可見的激光，但輸出激光的另一個更關鍵的因素是使晶體棒輸出激光的泵浦源，半導體泵浦是利用半導體二極管發出808nm的光波；由于燈的壽命不一，這樣又有可能因為國產燈質量的不均衡造成燈使用上的更多的浪廢。而燈泵浦是利用燈發出的光來泵浦，但燈發出的光的光譜較廣，只是在808nm處有一個稍大的峰值，其它波長的光后都變成無用的熱量散發掉了。

由于半導體泵浦的轉換，模式好，更易聚焦出高能量的更小面積的光點，標記同樣的物體時，其所需的外部能量會更小。同時其產生的廢熱也遠遠小于燈泵浦激光器，決定了其不需要燈泵浦激光器那樣龐大的冷卻系統。所以半導體泵浦的激光器系統的功耗比燈泵浦小得多。在上海、武漢、長春、北京等先后建站，形成了中國網，數據參加國際交流。

一個50W的燈泵浦激光打標機的功耗在6KW左右，而一個50W半導體激光標記機的功耗只在2KW左右，以三年為例，一天工作24小時，一個月工作28天，一度工業用電1.1元，光耗電一項，一臺半導體激光器就比一臺燈泵浦激光器節省（6-2）KW*24小時*28天*12月*3年*1.1/度=10.645萬 元！在此狀態下，建議采用以下步驟進行操作：在開機時，先打開冷水機，待制冷機溫度顯示低于30℃，啟動電源并將電流緩慢調節至10A左右。

“激光”一詞是“LASER”的意譯。LASER原是Light amplification by stimulated emissi on of radiation取字頭組合而成的專門名詞，在我國曾被翻譯成“萊塞”、“光器” 、“光受激輻射放大器”等。1964年，錢學森院士提議取名為“激光”，既反映了“受激輻射”的科學內涵，又表明它是一種很強烈的新光源，貼切、傳神而又簡潔，得到我國科學界的一致認同并沿用。隨著現代激光標刻應用領域的不斷擴展,對激光制造的設備系統小型化,和集成化的要求也越高。