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發布時間：2021-10-11 20:36
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化學氣相沉積法在金屬材料方面的使用
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鈀的化學氣相沉積Pd 及其合金對氫氣有著極強的吸附作用以及特別的選擇滲透性能，是一種存儲或者凈化氫氣的理想材料。特點1）在中溫或高溫下，通過氣態的初始化合物之間的氣相化學反應而形成固體物質沉積在基體上。對于Pd 的使用大多是將鈀合金或是鈀鍍層生產氫凈化設備 。也有些學者使用化學氣相沉積法將鈀制成薄膜或薄層。具體做法是使用分解溫度極低的金屬有機化合物當做制備鈀的材料，具體包括：烯丙基Pd（η-C3H5） （η-C5H5）以及 Pd（η-C3H5）（CF3COCHCOCF3）之類的材料，使用這種方式能夠制取出純度很高的鈀薄膜。
化學氣相沉積的特點
化學氣相沉積法之所以得到發展，是和它本身的特點分不開的，其特點如下。
I) 沉積物種類多: 可以沉積金屬薄膜、非金屬薄膜，也可以按要求制備多組分合金的薄膜，以及陶瓷或化合物層。
2) CVD反應在常壓或低真空進行，鍍膜的繞射性好，對于形狀復雜的表面或工件的深孔、細孔都能均勻鍍覆。
3) 能得到純度高、致密性好、殘余應力小、結晶良好的薄膜鍍層。由于反應氣體、反應產物和基體的相互擴散，可以得到附著力好的膜層，這對表面鈍化、抗蝕及耐磨等表面增強膜是很重要的。
4) 由于薄膜生長的溫度比膜材料的熔點低得多，由此可以得到純度高、結晶完全的膜層，這是有些半導體膜層所必須的。
5) 利用調節沉積的參數，可以有效地控制覆層的化學成分、形貌、晶體結構和晶粒度等。
6) 設備簡單、操作維修方便。
7) 反應溫度太高，一般要850~ 1100℃下進行，許多基體材料都耐受不住CVD的高溫。采用等離子或激光輔助技術可以降低沉積溫度。
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化學氣相沉積的特點有哪些？
? 高溫石英管反應器設計
? 溫度范圍：室溫到1100度
? 多路氣體準確控制
? 標準氣壓計
? 易于操作
? 可配機械泵實現低壓TCVD
? 可用于制備金屬氧化物、氮化物、碳化物、金屬薄膜
? 液體前驅體噴頭
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ICP刻蝕機的測量與控制
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由于等離子刻蝕工藝中的過程變量，如刻蝕率、氣壓、溫度、等離子阻抗，等等，不易測量，因此業界常用的測量方法有：
虛擬測量（Virtual Metrology）
等離子刻蝕過程控制示意圖
光譜測量
等離子阻抗監控
終端探測
遠程耦合傳感
控制方法
run-to-run 控制（R2R）
模型預測控制（MPC）
人工神經網絡控制
