激光脈沖沉積設備廠家誠信企業 沈陽鵬程有限公司

脈沖激光沉積系統配置介紹

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脈沖激光沉積系統配置：

生長室，進樣室可選水平、垂直兩種靶臺可選激光加熱和輻射加熱兩種樣品臺可選，激光加熱高的溫度1200℃工藝氣路可以任意搭配配備高壓RHEED，工作氣壓可達100Pa可預留法蘭，用于LEED，K-Cell, E-beam等其它可選項如臭氧發生器，離子源，掩膜系統等。如果您對脈沖激光沉積感興趣，歡迎點擊左右兩側的在線客服，或撥打咨詢電話。

脈沖激光沉積系統特點及優勢

可根據客戶需求定制產品，靈活性高，并提供專業的技術支持；靶臺可以安裝6個靶位，靶材更換靈活；樣品臺樣品尺寸從10x10mm樣品到2英寸樣品均適用；進樣室可以存儲多個靶和樣品；交易過程無需繁瑣的進、出關手續, 交貨期短，性價比高；

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脈沖激光沉積原理

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脈沖激光沉積原理：在真空環境下利用脈沖激光對靶材表面進行轟擊，利用激光產生的局域熱量將靶材物質轟擊出來，再沉積在不同的襯底上，從而形成薄膜。

PLD 主要選件

離子輔助沉積 (IBAD)系統介紹

離子輔助沉積已經成為在無規取向的基片或無定形基片上沉積雙軸結構薄膜的一種重要技術。Neocera 開發了離子輔助的PLD 系統，該系統將PLD 在沉積復雜材料方面的優勢與IBAD 能力結合在一起。

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