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磁控濺射鍍膜儀用高能粒子轟擊固體表面時能使固體表面的粒子獲得能量并逸出表面，沉積在基片上。

電子在電場E的作用下，在飛向基片過程中與ya原子發(fā)生碰撞，使其電離產(chǎn)生出Ar正離子和新的電子；新電子飛向基片，Ar離子在電場作用下加速飛向陰極靶，并以高能量轟擊靶表面，使靶材發(fā)生濺射。在濺射粒子中，中性的靶原子或分子沉積在基片上形成薄膜，磁控濺射鍍膜機生產(chǎn)廠家，而產(chǎn)生的二次電子借助于靶表面上形成的正交電磁場，被束縛在靶表面特定區(qū)域，增強電離效率，增加離子密度和能量，從而實現(xiàn)高速率濺射。是制備低維度，小尺寸納米材料器件的實驗手段，廣泛應(yīng)用于集成電路，光子晶體，低維半導(dǎo)體等領(lǐng)域。

1、磁控濺射和電阻蒸發(fā)雙應(yīng)用。本機采用可磁控濺射與電阻蒸發(fā)免拆卸轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)，可快速實現(xiàn)蒸發(fā)源的轉(zhuǎn)換。

2、桌面小型一體化結(jié)構(gòu)。本機對真空腔體、鍍膜電源及控制系統(tǒng)進(jìn)行整合設(shè)計，體積與一臺A3 打印機相仿（不包含真空機組，480x320x460mm，寬X 高X 深）

直流濺射法

濺射過程中涉及到復(fù)雜的散射過程和多種能量傳遞過程：入射粒子與靶材原子發(fā)生彈性碰撞，入射粒子的一部分動能會傳給靶材原子；某些靶材原子的動能超過由其周圍存在的其它原子所形成的勢壘（對于金屬是5-10 eV），從而從晶格點陣中被碰撞出來，產(chǎn)生離位原子；這些離位原子進(jìn)一步和附近的原子依次反復(fù)碰撞，產(chǎn)生碰撞級聯(lián)；當(dāng)這種碰撞級聯(lián)到達(dá)靶材表面時，如果靠近靶材表面的原子的動能大于表面結(jié)合能（對于金屬是1-6eV），這些原子就會從靶材表面脫離從而進(jìn)入真空。

磁控濺射鍍膜機

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真空鍍膜機利用這種濺射方法在基體上沉積薄膜是1877年問世的。但是，利用這種方法沉積薄膜的初期存在著濺射速率低，成膜速度慢，并且必須在裝置上設(shè)置高壓和通入惰性氣體等一系列問題。因此，發(fā)展緩慢險些被淘汰。只是在化學(xué)活性強的金屬、難容金屬、介質(zhì)以及化合物等材料上得到了少量的應(yīng)用。直到20世紀(jì)70年代，由于磁控濺射及時的出現(xiàn)，磁控濺射鍍膜機多少錢，才使濺射鍍膜得到了迅速的發(fā)展，開始走入了復(fù)興的道路。這是因為磁控濺射法可以通過正交電磁場對電子的約束，增加了電子與氣體分子的碰撞概率，這樣不但降低了加在陰極上的電壓，而且提高了正離子對靶陰極的濺射速率，減少了電子轟擊基體的概率，磁控濺射鍍膜機哪家好，從而降低了它的溫度，即具備了;高速、低溫的兩大特點。到了80年代，雖然他的出現(xiàn)僅僅十幾年間，它就從實驗室中脫穎而出，真正地進(jìn)入了工業(yè)大生產(chǎn)的領(lǐng)域。而且，隨著科學(xué)技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展，近幾年來在濺射鍍膜領(lǐng)域中推出了離子束增強濺射，采用寬束強流離子源結(jié)合磁場調(diào)制，并與常規(guī)的二極濺射相結(jié)合組成了一種新的濺射模式。而且，海南磁控濺射鍍膜機，又將中頻交流電源引入到磁控濺射的靶源中。這種被稱為孿生靶濺射的中頻交流磁控濺射技術(shù)，不但消除了陽極的;消失;效應(yīng)。而且，也解決了陰極的問題，從而極大地提高了磁控濺射的穩(wěn)定性。為化合物薄膜制備的工業(yè)化大生產(chǎn)提供了堅實的基礎(chǔ)。近年來急速鍍膜的復(fù)興與發(fā)展已經(jīng)作為人們炙手可熱的一種新興的薄膜制備技術(shù)而活躍在真空鍍膜的技術(shù)領(lǐng)域中。

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