交直流數(shù)字電壓表誠(chéng)信企業(yè)推薦【瑞泰威科技】

?數(shù)字IC是什么？

數(shù)字IC就是傳遞、加工、處理數(shù)字信號(hào)的IC，是近年來(lái)應(yīng)用廣、發(fā)展快的IC品種，可分為通用數(shù)字IC和專用數(shù)字IC。

模擬IC則是處理連續(xù)性的光、聲音、速度、溫度等自然模擬信號(hào)的IC，模擬IC按應(yīng)用來(lái)分可分為標(biāo)準(zhǔn)型模擬IC和特殊應(yīng)用型模擬IC。如果按技術(shù)來(lái)分的話，模擬IC可分為只處理模擬信號(hào)的線性IC和同時(shí)處理模擬與數(shù)字信號(hào)的混合IC。

標(biāo)準(zhǔn)型模擬IC包括放大器，電壓調(diào)節(jié)與參考對(duì)比，信號(hào)界面，數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換，比較器等產(chǎn)品；特殊應(yīng)用型模擬IC主要應(yīng)用在通信、汽車、電腦周邊和消費(fèi)類電子等四個(gè)領(lǐng)域。

簡(jiǎn)單總結(jié)一下二者的區(qū)別：數(shù)字電路IC就是處理數(shù)字信號(hào)的器件，比如CPU、邏輯電路等；因?yàn)槟MIC通常要輸出高電壓或者大電流來(lái)驅(qū)動(dòng)其他元件，而CMOS工藝的驅(qū)動(dòng)能力很差。而模擬電路IC是處理和提供模擬信號(hào)的器件，比如運(yùn)算放大器、線性穩(wěn)壓器、基準(zhǔn)電壓源等，它們都屬于模擬IC。模擬IC處理的信號(hào)都具有連續(xù)性，可以轉(zhuǎn)換為正弦波研究，而數(shù)字IC處理的是非連續(xù)性信號(hào)，都是脈沖方波。

不同數(shù)字器件有不同的制程, 所以需要不同的供電電壓, 因此更需要電源管理這一模擬技術(shù)，隨著數(shù)字技術(shù)的發(fā)展, 模擬技術(shù)分布于數(shù)字技術(shù)周邊, 與數(shù)字技術(shù)密不可分。

IC產(chǎn)品的溫馨提示

提示：濕度總是困擾在電子系統(tǒng)背后的一個(gè)難題。不管是在空氣流通的熱帶區(qū)域中，還是在潮濕的區(qū)域中運(yùn)輸，潮濕都是顯著增加電子工業(yè)開(kāi)支的原因。由于潮濕敏感性元件使用的增加，諸如薄的密間距元件(fine-pitch device)和球柵陣列(BGA, ballgrid array)使得對(duì)這個(gè)失效機(jī)制的關(guān)注也增加了。Filler的插入(padfliier,cellfiller)。基于此原因，電子制造商們必須為預(yù)防潛在災(zāi)難支付高昂的開(kāi)支。

吸收到內(nèi)部的潮氣是半導(dǎo)體封裝問(wèn)題。當(dāng)其固定到PCB 板上時(shí)，回流焊快速加熱將在內(nèi)部形成壓力。這種高速膨脹，取決于不同封裝結(jié)構(gòu)材料的熱膨脹系數(shù)（CTE）速率不同，可能產(chǎn)生封裝所不能承受的壓力。1、十進(jìn)制十進(jìn)制的每一位由0~9十個(gè)數(shù)碼表示，低位和相鄰高位之間的關(guān)系是“逢十進(jìn)一”。當(dāng)元件暴露在回流焊接期間升高的溫度環(huán)境下，陷于塑料的表面貼裝元內(nèi)部的潮濕會(huì)產(chǎn)生足夠的蒸汽壓力損傷或毀壞元件。

常見(jiàn)的失效模式包括塑料從芯片或引腳框上的內(nèi)部分離(脫層)、金線焊接損傷、芯片損傷、和不會(huì)延伸到元件表面的內(nèi)部裂紋等。在一些極端的情況中，裂紋會(huì)延伸到元件的表面；嚴(yán)重的情況就是元件鼓脹和爆裂(叫做“爆米花”效益)。盡管現(xiàn)在，進(jìn)行回流焊操作時(shí)，在180℃ ~200℃時(shí)少量的濕度是可以接受的。然而，在230℃ ~260℃的范圍中的無(wú)鉛工藝?yán)铮魏螡穸鹊拇嬖诙寄軌蛐纬勺銐驅(qū)е缕茐姆庋b的小（爆米花狀）或材料分層。在做產(chǎn)品驗(yàn)證時(shí)我們往往會(huì)遇到三個(gè)問(wèn)題，驗(yàn)證什么，如何去驗(yàn)證，哪里去驗(yàn)證，這就是what,how,where的問(wèn)題了。

必須進(jìn)行明智的封裝材料選擇、仔細(xì)控制的組裝環(huán)境和在運(yùn)輸中采用密封包裝及放置干燥劑等措施。實(shí)際上國(guó)外經(jīng)常使用裝備有射頻標(biāo)簽的濕度跟蹤系統(tǒng)、局部控制單元和專用軟件來(lái)顯示封裝、測(cè)試流水線、運(yùn)輸/操作及組裝操作中的濕度控制。此外由于工藝技術(shù)的限制，模擬電路設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)盡量少用或不用電阻和電容，特別是高阻值電阻和大容量電容，只有這樣才能提高集成度和降低成本。②THB: 加速式溫濕度及偏壓測(cè)試（Temperature Humidity Bias Test ）

目的: 評(píng)估IC產(chǎn)品在高溫，高濕，偏壓條件下對(duì)濕氣的抵抗能力，加速其失效進(jìn)程測(cè)試條件: 85℃，85%RH, 1.1 VCC, Static bias

IC?耐久性測(cè)試

耐久性測(cè)試項(xiàng)目（Endurance test items ）Endurance cycling test, Data retention test①周期耐久性測(cè)試（Endurance Cycling Test ）

目的: 評(píng)估非揮發(fā)性memory器件在多次讀寫(xiě)算后的持久性能

Test Method: 將數(shù)據(jù)寫(xiě)入memory的存儲(chǔ)單元，在擦除數(shù)據(jù)，重復(fù)這個(gè)過(guò)程多次

測(cè)試條件: 室溫，或者更高，每個(gè)數(shù)據(jù)的讀寫(xiě)次數(shù)達(dá)到100k~1000k

具體的測(cè)試條件和估算結(jié)果可參考以下標(biāo)準(zhǔn)

MIT-STD-883E Method 1033

②數(shù)據(jù)保持力測(cè)試（Data Retention Test）

目的: 在重復(fù)讀寫(xiě)之后加速非揮發(fā)性memory器件存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的電荷損失

測(cè)試條件: 在高溫條件下將數(shù)據(jù)寫(xiě)入memory 存儲(chǔ)單元后，多次讀取驗(yàn)證單元中的數(shù)據(jù)

失效機(jī)制：150℃

具體的測(cè)試條件和估算結(jié)果可參考以下標(biāo)準(zhǔn)：

MIT-STD-883E Method 1008.2

在了解上述的IC測(cè)試方法之后，IC的設(shè)計(jì)制造商就需要根據(jù)不用IC產(chǎn)品的性能，用途以及需要測(cè)試的目的，選擇合適的測(cè)試方法，的降低IC測(cè)試的時(shí)間和成本，從而有效控制IC產(chǎn)品的質(zhì)量和可靠度。