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發布時間:2024-05-02 03:20  





高純氣體的輸送管路系統
隨著微電子工業的發展,超大規模集成電路制造的硅片尺寸越做越大,要求半導體制造工藝中的氣體品質相應越來越高,對氣體中雜質和露1點要求極為嚴格,需要達到ppb、ppt級,塵埃粒徑求控制小于0.1~0.05m的微粒,因此對高純氣體的輸送管路系統提出了非常高的要求 。
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高純供氣系統
集中供氣系統需要規劃設計一個獨立的氣瓶室,根據實驗室的布局和用氣情況在實驗室的每層或幾層設置一個氣瓶室,也可在實驗室外部設計一個為整個實驗室供氣的氣瓶室,鋼瓶儲存區應合理布置,保持可燃性容器和助燃性容器間的安全間距。氣瓶室墻宜采用實體結構,門應設計為防爆門,安裝防爆燈以及防爆風機,萬一發生事故可減少實驗室區域的破壞性。存放鋼瓶屋內不宜吊頂。氣瓶室內還應設有氣體泄漏、低壓換氣報警設施,及排風裝置,同時設計時還應考慮防雷、防靜電、空調設備等設施。為了保證氣體純度和壓力的穩定性,需采用多級減壓方式供氣,宜設置氣路吹掃、排空、雜質過濾、水分和油汽凈化等裝置,有條件的可采用雙氣源自動切換模式供氣。

高純供氣系統
高純氮氣純化裝置以深冷法制氮、PSA變壓吸附制氮,氮膜分離制氮的普通氮氣為原料,經過加氫催化除氧,冷凝、吸附二級干燥,過濾,除去氮氣中的雜質氧、二氧化碳、水份和塵埃,獲得高純度的氮氣。用戶對純氮中的含氫量有特殊要求時,我們可以通過工藝手段來控制氮氣中的氫氣含量。若原料氮的氧含量超過0.1%時,高純供氣報價,則可用加氫除氧和除氫的方式來獲得無氫高純氮,若原料氮的氧含量小于0.1%,則采用化學除氧工藝方法。


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