您好，歡迎來到易龍商務網！
發布時間：2021-03-10 09:16
【廣告】
MOSFET幾種典型驅動電路（二）
模擬電路
有一段時間，MOSFET并非模擬電路設計工程師的，因為模擬電路設計重視的性能參數，如晶體管的轉導（transconductance）或是電流的驅動力上，MOSFET不如BJT來得適合模擬電路的需求。但是隨著MOSFET技術的不斷演進，今日的CMOS技術也已經可以符合很多模擬電路的規格需求。再加上MOSFET因為結構的關系，沒有BJT的一些致命缺點，如熱破壞（thermal runaway）。另外，MOSFET在線性區的壓控電阻特性亦可在集成電路里用來取代。作為大尺寸顯示器件，顯示刷新率應該在85Hz以上，才能保證穩定的畫面(無掃描閃爍感)。
隨著半導體制造技術的進步，對于整合更多功能至單一芯片的需求也跟著大幅提升，此時用MOSFET設計模擬電路的另外一個優點也隨之浮現。為了減少在印刷電路板（Printed Circuit Board,PCB）上使用的集成電路數量、減少封裝成本與縮小系統的體積，很多原本獨立的類比芯片與數位芯片被整合至同一個芯片內。MOSFET原本在數位集成電路上就有很大的競爭優勢，在類比集成電路上也大量采用MOSFET之后，把這兩種不同功能的電路整合起來的困難度也顯著的下降。另外像是某些混合信號電路（Mixed-signal circuits），如類比/數位轉換器（Analog-to-Digital Converter,ADC），也得以利用MOSFET技術設計出效能更好的產品。按照驅動電路加在電力電子器件控制端和公共端之間信號的性質，可以將電力電子器件分為電流驅動型和電壓驅動型兩類度。
IGBT的驅動電路特點（一）
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；隨著半導體制造技術的進步，對于整合更多功能至單一芯片的需求也跟著大幅提升，此時用MOSFET設計模擬電路的另外一個優點也隨之浮現。MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
輸出特性與轉移特性：
IGBT的伏安特性是指以柵極電壓VGE為參變量時，集電極電流IC與集電極電壓VCE之間的關系曲線。IGBT的伏安特性與BJT的輸出特性相似，也可分為飽和區I、放大區II和擊穿區III三部分。IGBT作為開關器件穩態時主要工作在飽和導通區。IGBT的轉移特性是指集電極輸出電流IC與柵極電壓之間的關系曲線。它與MOSFET的轉移特性相同，當柵極電壓VGE小于開啟電壓VGE(th)時，IGBT處于關斷狀態。在IGBT導通后的大部分集電極電流范圍內，IC與VGE呈線性關系。LED，發光二極管（lightemittingdiode縮寫）。
IGBT與MOSFET的對比：
MOSFET全稱功率場效應晶體管。它的三個極分別是源極(S)、漏極(D)和柵極(G)。
主要優點：熱穩定性好、安全工作區大。
缺點：擊穿電壓低，工作電流小。
LED顯示器驅動器IC在LED顯示器發展趨勢道路上起著的尤為重要的促進功效,做為一個清潔能源,環保節能是LED顯示器永恒不變的追求,另外也是考慮驅動器IC特性的一個關鍵規范。
在產品研發全過程中,在合理減少恒流電源轉折點工作電壓,從而將傳統式的9V開關電源減少至3.8V下列的另外,根據提升IC優化算法和設計方案減少驅動器IC實際操作工作電壓與實際操作電流量。
LED顯示器應用技術及情景持續迭代更新,為驅動器IC產生許多挑戰,LED顯示器驅動器IC從技術上現有大提升,才可以助推LED顯示器制造行業的優良發展趨勢,在未來可能我們一起更為另眼相看。
示器驅動IC出現漲價情況原因
顯示器驅動IC提價在8月也有提及，此次受8英寸/6英寸晶圓代工價格上漲影響也較大，有業內人士指出，由于上游8英寸晶圓代工產能偏緊，導致顯示器驅動IC供貨缺口達15%~20%，預計到2021年中將有所緩解，目前wafer提價均在10%以上，未來傳導至市場段的提價幅度難以控制，目前缺貨類IC提價100%也是正常的，而顯示器驅動IC提價則取決于各廠商吸收成本的能力。LED電源驅動IC燒掉的原因有電器元件IC本身有問題，也可能是電流電壓過高。
