五金配件納米鍍膜設備高性價比的選擇

真空鍍膜機工藝在光學儀器中的運用大家了解的光學儀器有望遠鏡、顯微鏡、照相機、測距儀，以及平時生活用品中的鏡子、眼鏡、放大鏡等，它們都離不開鍍膜技能，鍍制的薄膜有反射膜、增透膜和吸收膜等幾種。

鍍膜機工藝在集成電路制造中的運用，鍍膜機晶體管路中的保護層（SiO2、Si3N4）、電極管線（多晶硅、銅及其合金）等多是選用CVD技能、PVCD技能、真空蒸騰金屬技能、磁控濺射技能和射頻濺射技能。可見氣相堆積術制備集成電路的核心技能之一。

采用化學氣相沉積處理時，應注意以下問題：

（1）要考慮模具銳角部分的凸起變形

由于涂層與基體的線脹系數不同，模具棱角處容易產生應力集中，基材會被擠出形成凸起。可以采取的解決方法是：將銳角處加工成圓弧狀，或是估計凸起變形量的大小，預先加工成錐形。

（2）CVD沉積溫度高而帶來的尺寸和形狀變形

其變形程度取決于所選用的材料、形狀、沉積溫度、涂層厚度以及預備熱處理等。

在CVD處理過程中，尺寸變形小的材料是硬質合金及含Cr高的不銹鋼系合金；沖壓加工領域使用的模具材料主要限于合金工具鋼、冷作模具鋼（Cr12MoV）、硬質合金等，其中快冷淬透鋼，由于快冷時容易產生翹曲、扭曲等變形，所以不宜進行CVD處理；而高速鋼是熱處理膨脹較大的鋼種，使用時必須充分估計其膨脹變形量。

直流等離子體化學氣相沉積（DC-PCVD）

DC-PCVD是利用高壓直流負偏壓（-1～-5kV），使低壓反應氣體發生輝光放電產生等離子體，等離子體在電場作用下轟擊工件，并在工件表面沉積成膜。

直流等離子體比較簡單，工件處于陰極電位，受其外形、大小的影響，使電場分布不均勻，在陰極四周壓降，電場強度，正由于有這一特點，所以化學反應也集中在陰極工件表面，加強了沉積效率，避免了反應物質在器壁上的消耗。缺點是不導電的基體或薄膜不能應用。由于陰極上電荷的積累會排斥進一步的沉積，并會造成積累放電，破壞正常的反應。