9N90原裝現貨供應-ASEMI-原裝現貨供應

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MOSFET（場效應管）的主要參數：

3. 漏源擊穿電壓BVDS

·在VGS=0(增強型)的條件下 ，6N60原裝現貨供應，在增加漏源電壓過程中使ID開始劇增時的VDS稱為漏源擊穿電壓BVDS

·ID劇增的原因有下列兩個方面:

(1)漏極附近耗盡層的雪崩擊穿

(2)漏源極間的穿通擊穿

·有些MOS管中，其溝道長度較短，不斷增加VDS會使漏區的耗盡層一直擴展到源區，使溝道長度為零，即產生漏源間的穿通，穿通后，24N50原裝現貨供應，源區中的多數載流子，原裝現貨供應，將直接受耗盡層電場的吸引，到達漏區，產生大的ID

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MOSFET（場效應管）的主要參數：

1.開啟電壓VT

·開啟電壓(又稱閾值電壓):使得源極S和漏極D之間開始形成導電溝道所需的柵極電壓;

·標準的N溝道MOS管，VT約為3~6V;·通過工藝上的改進，可以使MOS管的VT值降到2~3V。

2. 直流輸入電阻RGS

·即在柵源極之間加的電壓與柵極電流之比

·這一特性有時以流過柵極的柵流表示

·MOS管的RGS可以很容易地超過1010Ω。

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ASEMI品牌 TO-220 MOS場效應晶體管 100N10

型號：100N10

封裝：TO-220AB

漏極電流（VDS）：100A

漏源電壓（ID）：100V

工作溫度：-55℃~150℃

封裝類型：插件

種類：場效應晶體管/MOSFET

品牌：ASEMI

場效應管通過投影P溝道mos管符號一個電場在一個絕緣層上來影響流過晶體管的電流。事實上沒有電流流過這個絕緣體，所以FET管的GATE電流非常小。

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