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發布時間：2021-03-21 17:23
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光刻膠介紹
光刻膠介紹
光刻膠是一種對光線、溫度、濕度十分敏感的材料，可以在光照后發生化學性質的改變，這是整個工藝的基礎。
光刻膠有不同的類型，PMMA（PMGI）以及DNQ（酚醛樹脂）等材料都可以做光刻膠。
目前光刻膠市場上的參與者多是來自于美國、日本、韓國等國家，包括 FUTURREX、陶氏化學、杜邦、富士膠片、信越化學、住友化學、LG化學等等，中國公司在光刻膠領域也缺少核心技術。
光刻工藝主要性一
光刻膠不僅具有純度要求高、工藝復雜等特征，還需要相應光刻機與之配對調試。一般情況下，一個芯片在制造過程中需要進行10~50道光刻過程，由于基板不同、分辨率要求不同、蝕刻方式不同等，不同的光刻過程對光刻膠的具體要求也不一樣，即使類似的光刻過程，不同的廠商也會有不同的要求。方法二，先通過干法刻蝕去除硬光刻膠外殼，再采用傳統的干法刻蝕去光刻膠的方法去除剩余的光刻膠的方法，但是這種方式增加了一步工藝流程，浪費能源，而且降低了生產效率。
針對不同應用需求，光刻膠的品種非常多，這些差異主要通過調整光刻膠的配方來實現。因此，通過調整光刻膠的配方，滿足差異化的應用需求，是光刻膠制造商核心的技術。
此外，由于光刻加工分辨率直接關系到芯片特征尺寸大小，而光刻膠的性能關系到光刻分辨率的大小。限制光刻分辨率的是光的干涉和衍射效應。光刻分辨率與曝光波長、數值孔徑和工藝系數相關。
在光刻膠的生產上，我國主要生產PCB光刻膠，LCD光刻膠和半導體光刻膠生產規模較小， 2015年據統計我國光刻膠產量為9.75萬噸，其中中低端PCB光刻膠產值占比為94.4%，半導體和LCD光刻膠分分別占比1.6%和2.7%，嚴重依賴進口。按照感光樹脂的化學結構分類，光刻膠可以分為①光聚合型，采用烯類單體，在光作用下生成自由基，進一步引發單體聚合，最后生成聚合物，具有形成正像的特點。
縱觀全球市場，光刻膠專用化學品生產壁壘高，國產化需求強烈。 化學結構特殊、保密性強、用量少、純度要求高、生產工藝復雜、品質要求苛刻，生產、檢測、評價設備投資大，技術需要長期積累。
至今光刻膠專用化學品仍主要被被日本合成橡膠（JSR）、東京應化（TOK）、住友化學、美國杜邦、美國futurrex、德國巴斯夫等化工寡頭壟斷。
光刻膠國內研發現狀
“造成與國際水平差距的原因很多。過去由于我國在開始規劃發展集成電路產業上，布局不合理、不完整，特別是生產加工環節的投資，而忽視了重要的基礎材料、裝備與應用研究。目前，整個產業是中間加工環節強，前后兩端弱，核心技術至今被TOK、JSR、住友化學、信越化學等日本企業所壟斷。光刻膠去除半導體器件制造技術中，通常利用光刻工藝將掩膜板上的掩膜圖形轉移到半導體結構表面的光刻膠層中。
光刻膠的主要技術指標有解析度、顯影時間、異物數量、附著力、阻抗等。每一項技術指標都很重要，必須全部指標達到才能使用。因此，國外企業在配方、生產工藝技術等方面，對中國長期保密。中國的研發技術有待進一步發展
