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半導體真空腔體的應用

中國半導體真空腔體市場近幾年快速發展,越來越多的公司也表達了進入芯片領域的興趣.以存儲芯片為例,以前中國國內存儲芯片完全靠進口,今年福建晉華集成電路的內存生產線有望投產,另外長江存儲科技公司也在建設內存和閃存芯片生產線.格力、康佳等傳統家電企業也表示,將進入芯片領域.

據國際半導體設備與材料協會報告顯示,中國目前正在天津、西安、北京、上海等16個地區打造25個FAB建設項目,福建晉華集成電路、長江存儲科技公司等企業技術水平雖不及韓國,但均已投入芯片量產.報告預測,今年中國半導體設備市場規模有望達118億美元,實現同比43.9%的增長,并且明年市場規模有望擴大至173億美元,增長46.6%,成為大市場.而同一時期內韓國的半導體設備市場規模從179.6億美元減少至163億美元,減幅為9.2%.中國超越韓國成為全球很大半導體設備市場.

真空腔體

真空腔體的加熱方式分為內加熱和外加熱兩種,外加熱是在腔體外部加熱,依靠腔體壁將熱量傳導進來,通過熱輻射傳遞熱量;內加熱是直接在真空腔體內部進行加熱,相比內加熱方式,外加熱有滯后性,且內加熱方式的控溫精度相對于外加熱來說更,所以一般情況下我們會選擇內加熱方式.

加熱器的選擇也非常重要,一般選用安裝方便的扣板式加熱板進行內加熱.扣板式加熱板的表面是鏡面的不銹鋼板,在平整度上比直接由真空腔體壁拋光更有優勢,更利于進行熱輻射傳導熱量.

影響真空絕緣水平的主要因素

電極的幾許形狀

電極的幾許形狀對電場的分布有很大的影響，往往因為幾許形狀不行恰當，引起電場在部分過于集中而導致擊穿，這一點在高電壓的真空產品中特別杰出。

電極邊際的曲率半徑大小是重要因素。一般來說，曲率半徑大的電極接受擊穿電壓的能力比曲率半徑小的大。

此外，擊穿電壓還和電極面積的大小成反比，即跟著電極面積的增大而有所下降。面積增大導致耐壓下降的原因主要是放電概率添加。