磁控濺射鍍膜機生產廠家-磁控濺射鍍膜機-創世威納公司

磁控濺射中靶zhong毒是怎么回事，一般的影響因素是什么？

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靶zhong毒的物理解釋

（1）一般情況下，金屬化合物的二次電子發射系數比金屬的高，靶zhong毒后，靶材表面都是金屬化合物，在受到離子轟擊之后，釋放的二次電子數量增加，提高了空間的導通能力，降低了等離子體阻抗，導致濺射電壓降低。從而降低了濺射速率。一般情況下磁控濺射的濺射電壓在400V-600V之間，當發生靶zhong毒時，濺射電壓會顯著降低。（2）金屬靶材與化合物靶材本來濺射速率就不一樣，一般情況下金屬的濺射系數要比化合物的濺射系數高，所以靶zhong毒后濺射速率低。（3）反應濺射氣體的濺射效率本來就比惰性氣體的濺射效率低，所以反應氣體比例增加后，磁控濺射鍍膜機多少錢，綜合濺射速率降低。

磁控濺射鍍膜機技術原理

真空磁控濺射鍍膜技術是通過真空磁控濺射鍍膜機實現的，鍍膜機內由不同級別的真空泵抽氣，磁控濺射鍍膜機生產廠家，在系統內營造出一個鍍膜所需的真空環境，真空度要達到鍍膜所需的本底真空，一般在（1~5）×10-8 Pa。在真空環境中向靶材（陰極）下充入工藝氣體氣（Ar），氣在外加電場（由直流或交流電源產生）作用下發生電離生成離子（Ar ），同時在電場E的作用下，離子加速飛向陰極靶并以高能量轟擊靶表面，使靶材產生濺射。在濺射粒子中，中性的靶原子（或分子）沉積在PET基片上形成薄膜。同時被濺射出的二次電子在陰極暗區被加速，在飛向基片的過程中，落入設定的正交電磁場的電子阱中，直接被磁場的洛倫茲力束縛，使其在磁場B的洛倫茲力作用下，以旋輪線和螺旋線的復合形式在靶表面附近作回旋運動。電子e的運動被電磁場束縛在靠近靶表面的等離子區域內，使其到達陽極前的行程大大增長，大大增加碰撞電離幾率，使得該區域內氣體原子的離化率增加，轟擊靶材的高能Ar 離子增多，從而實現了磁控濺射高速沉積的特點。在運用該機理開發磁控膜的過程中，要注意以下幾個問題：①保證整體工藝中各個環節的可靠性。具體包括靶材質量、工藝氣體純度、原膜潔凈程度、原膜質量等基礎因素，這一系列因素會對鍍膜產品的終質量產生影響。②選擇合適的靶材。要建立的膜系是通過對陰極的前后順序布置實現的。③控制好各環節的工藝性能及參數。如適合的本底真空度、靶材適用的濺射功率、工藝氣體和反應氣體用量與輸入均勻性、膜層厚度等。總之，只有控制好以上各因素，才能夠保證所開發的鍍膜PET具有穩定的顏色、優異的性能和耐久性。

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磁控濺射的工作原理

是指電子在電場E的作用下，磁控濺射鍍膜機，在飛向基片過程中與原子發生碰撞，磁控濺射鍍膜機報價，使其電離產生出Ar正離子和新的電子；新電子飛向基片，Ar離子在電場作用下加速飛向陰極靶，并以高能量轟擊靶表面，使靶材發生濺射。在濺射粒子中，中性的靶原子或分子沉積在基片上形成薄膜，而產生的二次電子會受到電場和磁場作用，產生E（電場）×B（磁場）所指的方向漂移，簡稱E×B漂移，其運動軌跡近似于磁控濺射一條擺線。若為環形磁場，則電子就以近似擺線形式在靶表面做圓周運動，它們的運動路徑不僅很長，而且被束縛在靠近靶表面的等離子體區域內，并且在該區域中電離出大量的Ar 來轟擊靶材，從而實現了高的沉積速率。隨著碰撞次數的增加，二次電子的能量消耗殆盡，逐漸遠離靶表面，并在電場E的作用下終沉積在基片上。由于該電子的能量很低，傳遞給基片的能量很小，致使基片溫升較低。磁控濺射是入射粒子和靶的碰撞過程。入射粒子在靶中經歷復雜的散射過程，和靶原子碰撞，把部分動量傳給靶原子，此靶原子又和其他靶原子碰撞，形成級聯過程。在這種級聯過程中某些表面附近的靶原子獲得向外運動的足夠動量，離開靶被濺射出來。

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