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光刻膠工藝

普通的光刻膠在成像過程中，由于存在一定的衍射、反射和散射，降低了光刻膠圖形的對比度，從而降低了圖形的分辨率。隨著曝光加工特征尺寸的縮小，入射光的反射和散射對提高圖形分辨率的影響也越來越大。為了提高曝光系統(tǒng)分辨率的性能，F(xiàn)uturrex 的光刻膠正在研究在曝光光刻膠的表面覆蓋抗反射涂層的新型光刻膠技術。光刻膠：用化學反應進行圖像轉移的媒介光刻膠具有光化學敏感性，其經(jīng)過曝光、顯影、刻蝕等工藝，可以將設計好的微細圖形從掩膜版轉移到待加工基片。該技術的引入，可明顯減小光刻膠表面對入射光的反射和散射，從而改善光刻膠的分辨率性能，但由此將引起工藝復雜性和光刻成本的增加。

光刻膠市場

據(jù)統(tǒng)計資料顯示，2017年中國光刻膠行業(yè)產(chǎn)量達到7.56萬噸，較2016年增加0.29萬噸，其中，中國本土光刻膠產(chǎn)量為4.41萬噸，與7.99萬噸的需求量差異較大，說明我國供給能力還需提升。

國內(nèi)企業(yè)的光刻膠產(chǎn)品目前還主要用于PCB領域，代表企業(yè)有晶瑞股份、科華微電子。

在半導體應用領域，隨著汽車電子、物聯(lián)網(wǎng)等發(fā)展，會在一定程度上增加對G線、I線的需求，利好G線、I線等生產(chǎn)企業(yè)。預計G線正膠今后將占據(jù)50%以上市場份額，I線正膠將占據(jù)40%左右的市場份額，DUV等其他光刻膠約占10%市場份額，給予北京科華、蘇州瑞紅等國內(nèi)公司及美國futurrex的光刻膠較大市場機會。2μm品牌產(chǎn)地型號厚度耐熱溫度應用Futurrex美國PR1-500A0。

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二、預烘和底膠涂覆（Pre-bake and Primer Vapor）

由于光刻膠中含有溶劑，所以對于涂好光刻膠的硅片需要在80度左右的。硅片脫水烘焙能去除圓片表面的潮氣、增強光刻膠與表面的黏附性、通常大約100 °C。這是與底膠涂覆合并進行的。

底膠涂覆增強光刻膠(PR)和圓片表面的黏附性。廣泛使用: (HMDS)、在PR旋轉涂覆前HMDS蒸氣涂覆、PR涂覆前用冷卻板冷卻圓片。