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西晉時張華（232—300）撰寫的《博物志》中有這樣的記載：“今人梳頭、脫著衣時，有隨梳、解結有光者，也有咤聲。”意思是說梳頭、穿衣服時，常發生摩擦起電，有時還能看到小火星和聽到微弱的響聲。古希臘是西方電磁學的發源地。在古希臘的文獻中記載了一些電磁現象。柏拉圖(前427—前347)曾提到“關于琥珀和磁石的吸引是觀察到的奇事”。表明公元三百多年古希臘人就發現了琥珀吸引小物體的現象。

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首先在器件和產品的設計中，應充分體現靜電防護的思想，在器件內部設置靜電防護元件(ESD Protection Device)，盡量使用對靜電不敏感的器件以及對所使用的靜電放電敏感(ESDS, ESD-sensitive)器件提供適當的輸入保護，使其更合理地避免ESD的傷害。MOS工藝是集成電路制造的主導技術, 以金屬－氧化物－半導體場效應管為基本構造元件。由于MOS器件中場效應管的柵、源極之間是一層亞微米級的絕緣柵氧化層，故其輸入阻抗通常大于1000M ，并且具有5pF左右的輸入電容，極易受到靜電的損害。因此，在MOS器件的輸入級中均設置了電阻-二極管防護網絡，串聯電阻能夠限制尖峰電流, 二極管則能限制瞬間的尖峰電壓。器件內常見的防護元件還有：電容、雙極晶體管、可控硅整流器（SCR，見圖1）等, ESD發生時，它們在受保護器件之前迅速作出反應，將ESD的能量吸收、釋放，使被保護器件所受沖擊大為降低。正常情況下，防護元件在其一次崩潰(First Breakdown)區內工作，不會受到ESD損傷，一旦外加電壓或電流過量(Overstress)，進入二次崩潰(Secondary Breakdown)區的防護元件將受到不可逆轉的損害，失去對器件的保護作用。

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國內外潔凈技術的發展都是隨著科學技術的發展和產品生產的更新換代,特別是工業、電子、航天等工業的發展而不斷演進的。現代工業產品和現代科學實驗活動要求微型化、精密化、高純度、高質量和高可靠性。以微型化為例,電子計算機從當初放置在若干個房間內龐大的機組發展到今天的便攜式筆記本。與此同時,它內部所使用的電子元器件也從電子管到半導體分立器件,再到集成電路和極大規模集成電路;集成電路的線寬也已從幾微米發展到當今45納米。這些新科技產品要求具有嚴格的潔凈生產環境。潔凈技術便是根據產品生產對潔凈生產環境中污染物的控制要求、控制方法以及控制設施等日益嚴格的要求不斷發展而來的。