沈陽鵬程公司-等離子化學氣相沉積設備廠家

化學氣相沉積法簡介

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化學氣相堆積(簡稱CVD)是反響物質在氣態條件下發生化學反響，生成固態物質堆積在加熱的固態基體外表，進而制得固體資料的工藝技術。它本質上歸于原子領域的氣態傳質進程。

化學氣相淀積是近幾十年發展起來的制備無機資料的新技術。化學氣相淀積法已經廣泛用于提純物質、研發新晶體、淀積各種單晶、多晶或玻璃態無機薄膜資料。這些資料可所以氧化物、硫化物、氮化物、碳化物，也可所以III-V、II-IV、IV-VI族中的二元或多元的元素間化合物，并且它們的物理功用能夠通過氣相摻雜的淀積進程準確操控。現在，化學氣相淀積已成為無機合成化學的一個新領域。

方箱PECVD簡介

該系統為單室薄膜太陽電池等離子增強化學氣相沉積（PECVD）工藝研發設備，用來在硅片上沉積SiOx、SiNx、非晶硅、多晶硅、碳材料等薄膜，鍍膜樣品為156×156mm基片（并向下兼容）。

設備概述：

1.系統采用單室方箱式結構，手動前開門；

2.真空室:尺寸為350mm×350×280mm；

3.極限真空度：≤6.67x10-4 Pa (經烘烤除氣后，采用分子泵抽氣)；

系統真空檢漏漏率：≤5.0x10-7Pa.l/S； 系統從大氣開始抽氣到5.0x10-3 Pa，35分鐘可達到

（采用分子泵抽氣，分子泵不配，預留分子泵接口)； 停泵關機12小時后真空度：≤5 Pa（采用分子

泵抽氣，分子泵不配，預留分子泵接口)；

4.采用樣品在下，噴淋頭在上噴淋式進氣方式；

5.樣品加熱加熱溫度：300℃，溫控精度：±1°C，等離子化學氣相沉積設備哪家好，采用日本進口控溫表進行控溫；

6.噴淋頭尺寸：200×200mm，等離子化學氣相沉積設備廠家，噴淋頭與樣品之間電極間距20-80mm連續可調；

7. 沉積工作真空：13-1300Pa；

8.氣路設有勻氣系統，真空室內設有保證抽氣均勻性抽氣裝置；

9.射頻電源：頻率 13.56MHz，功率500W，全自動匹配；

10.SiH4、NH3、CO2、N2、H2、PH3、B2H6、七路氣體，共計使用7個質量流量控制器控制進氣。

11. 系統設有尾氣處理系統(高溫裂解方式)。

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化學氣相沉積的過程介紹

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具體說來，基于輝光放電方法的PECVD技術，等離子化學氣相沉積設備價格，能夠使得反應氣體在外界電磁場的激勵下實現電離形成等離子體。在輝光放電的等離子體中，電子經外電場加速后，其動能通常可達10eV左右，甚至更高，足以破壞反應氣體分子的化學鍵，等離子化學氣相沉積設備，因此，通過高能電子和反應氣體分子的非彈性碰撞，就會使氣體分子電離（離化）或者使其分解，產生中性原子和分子生成物。正離子受到離子層加速電場的加速與上電極碰撞，放置襯底的下電極附近也存在有一較小的離子層電場，所以襯底也受到某種程度的離子轟擊。因而分解產生的中性物依擴散到達管壁和襯底。這些粒子和基團（這里把化學上是活性的中性原子和分子物都稱之為基團）在漂移和擴散的過程中，由于平均自由程很短，所以都會發生離子-分子反應和基團-分子反應等過程。到達襯底并被吸附的化學活性物（主要是基團）的化學性質都很活潑，由它們之間的相互反應從而形成薄膜。

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