變頻器用IGBT測試儀廠家的用途和特點「多圖」

3、系統基本參數

3.1 電 壓 源：220VAC ±10% ，50Hz/60Hz 20A RMS；

3.2 加熱功能：室溫～150℃；

3.3 測試功能：可測試IGBT模塊及FRD；

3.4 環境溫度：25℃±15℃；

3.5 環境濕度：50% ±20% （相對濕度）

4、動態測試基本配置

4.1 集電級電壓 Vcc： 50 ~ 1000V；

4.2 集電極電流 Ic： 50 ~ 1000A 感性負載；

4.3 電流持續時間 It： 10 ~ 1000 us 單個脈沖或雙脈沖的總時間； 4.4 脈 沖 模 式： 單脈沖和雙脈沖；

4.5 單電流脈沖的設置： Vcc，Ic, 電感值（自動計算脈寬）；

4.6 雙電流脈沖的設置： Vcc, Ic, 電感值，間隙時間（10到50us）(脈寬自動計算)；

（開啟Qrr測試：第二個脈寬＝間隙時間，10~50us）；

4.7 設備寄生電感 Lint: < 65nH（感性動態測試）。

2.4短路技術條件 1、Vcc： 200～1000V 200～1000V±3%±2V 2、一次短路電流：20000A 500～1000A±3%±2A 1000A～5000A±2%±5A 5000A～20000A±2%±10A 3、tp：5-30us 2.5雪崩技術條件 1、Vce：50～500V±3%±5V 500～1000V±3%±5V 2、Ic：1A～50A 1A～9.9A±3%±50mA 10A～50A±3%±1A 3、EA：10mJ～20J 10mJ～1000mJ±3%±1mJ 1J～20J±3%±10mJ 4、脈沖寬度：40—1000uS可設定 5、測試頻率：單次 2.6 NTC測試技術條件 阻值測量范圍：0～20KΩ

開通特性測試采用雙脈沖測試法。1mJ50～100mJ±5%±1mJ 100～500mJ±5%±2mJ 5、開通電流上升率di/dt測量范圍：200-10000A/uS 6、開通峰值功率Pon：10W～250kW。由計算機設定并控制輸出集電極電壓VCC值到被測器件的測試要求值（一般為被測器件額定電壓的1/2），設定±VGG到測試要求值，計算機控制接通開關S1,并控制輸出被測雙脈沖觸發信號，開通和關斷被測器件兩次，被測器件次開通后，集電極電流IC上升，直至被測器件飽和導通且IC達到測試規定值時，關斷被測器件(設為t1時刻)，之后電感L經二極管（Q1內部二極管）續流，IC迅速減小，直至IC降為零時，第二次開通被測器件(設為t2時刻)，此后電感L中的電流向IC轉移，IC迅速上升(若L足夠大，t1～t2間隔足夠短，L中的電流可視為恒流），直至被測器件再次達到飽和導通時(設為t3時刻)，關斷被測器件。記錄下被測器件IC、VCE以及VGE在t2～t3之間的導通波形，其中，VCE采樣到示波器的CH1通道，IC取樣到示波器的CH2通道，VGE采樣到示波器的CH3通道，示波器通過光通訊方式將測試波形傳輸給計算機，由計算機對測試波形進行分析與計算，后顯示測試結果。

靜態及動態測試系統 技術規范 供貨范圍一覽表 序號 名稱 型號 單位 數量 1 半導體靜態及動態測試系統 HUSTEC-2010 套 1 1范圍 本技術規范提出的是限度的要求，并未對所有技術細節作出規定，也未充分引述有關標準和規范的條文，供貨方應提供符合工業標準和本技術規范的產品。2011年，我們在深圳地鐵運營公司前海車輛段大修車間，進行了實際的展示與操作，廠方提供了許多元件來測試，其中一部份由于損毀嚴重，在一開始的功能與元件判別過程，即被判出局，而未進入實質的參數量測，也有全新的IGBT，量測結果完全合乎出廠規格。本技術規范所使用的標準如遇與供貨方所執行的標準不一致時，應按較高標準執行。