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磁控濺射鍍膜機(jī)原理

由此可見(jiàn)，濺射過(guò)程即為入射離子通過(guò)一系列碰撞進(jìn)行能量交換的過(guò)程，入射離子轉(zhuǎn)移到逸出的濺射原子上的能量大約只有原來(lái)能量的1%，大部分能量則通過(guò)級(jí)聯(lián)碰撞而消耗在靶的表面層中，并轉(zhuǎn)化為晶格的振動(dòng)。濺射原子大多數(shù)來(lái)自靶表面零點(diǎn)幾納米的淺表層，可以認(rèn)為靶材濺射時(shí)原子是從表面開(kāi)始剝離的。如果轟擊離子的能量不足，則只能使靶材表面的原子發(fā)生振動(dòng)而不產(chǎn)生濺射。磁場(chǎng)與電場(chǎng)的交互作用使單個(gè)電子軌跡呈三維螺旋狀，而不是僅僅在靶面圓周運(yùn)動(dòng)。如果轟擊離子能量很高時(shí)，濺射的原子數(shù)與轟擊離子數(shù)之比值將減小，這是因?yàn)檗Z擊離子能量過(guò)高而發(fā)生離子注入現(xiàn)象的緣故。

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磁控濺射鍍膜機(jī)

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ITO 薄膜的磁控濺射靶主要分為InSn 合金靶、In2O3-SnO2 陶瓷靶兩類(lèi)。在用合金靶制備ITO 薄膜時(shí),由于濺射過(guò)程中作為反應(yīng)氣體的氧會(huì)和靶發(fā)生很強(qiáng)的電化學(xué)反應(yīng),靶面覆蓋一層化合物,使濺射蝕損區(qū)域縮得很小(俗稱(chēng)“靶zhong毒”) ,以至很難用直流濺射的方法穩(wěn)定地制備出的ITO 膜。也就是說(shuō),采用合金靶磁控濺射時(shí),工藝參數(shù)的窗口很窄且極不穩(wěn)定。陶瓷靶因能抑制濺射過(guò)程中氧的選擇性濺射,能穩(wěn)定地將金屬銦和錫與氧的反應(yīng)物按所需的化學(xué)配比穩(wěn)定地成膜,故無(wú)zhong毒現(xiàn)象,工藝窗口寬,穩(wěn)定性好。但這不等于說(shuō)陶瓷靶解決了所有的問(wèn)題,其薄膜光電性能仍然受制于基底溫度、濺射電壓、氧含量等主要工藝參數(shù)的影響,不同工藝制備出的ITO 薄膜的光電性能相差甚遠(yuǎn)。為此前處理的過(guò)程包括機(jī)械清洗(打磨、毛刷水洗、去離子水沖洗、冷熱風(fēng)刀吹凈)、烘烤、輝光等離子體轟擊等。因此,開(kāi)展ITO陶瓷靶磁控濺射工藝參數(shù)的優(yōu)化研究很有意義。

磁控濺射鍍膜機(jī)的注意事項(xiàng)

1、保持機(jī)器內(nèi)艙各部位的清潔；

2、關(guān)注真空度指標(biāo)；

3、檢查并記錄抽真空的時(shí)間，如有延長(zhǎng)，立刻檢查造成的原因；

4、記錄濺射功率和時(shí)間（一般濺射機(jī)的銀靶設(shè)定功率為0.6千瓦，金靶的設(shè)定功率為0.75千瓦，鉻的行走速率為9000pps），如有異常，立刻檢查造成的原因；

5、根據(jù)鍍出石英振子的散差，調(diào)整遮擋板的各部尺寸；

6、濺鍍后的石英振子要用3M膠帶檢查其牢固度；

7、測(cè)試并記錄鍍好的石英振子主要指標(biāo)，如：頻率、電阻、DLD等；

8、將不良品挑出：電極錯(cuò)位、劃傷、臟污、掉銀等（工位上要有不良品示意圖）。

以上就是為大家介紹的全部?jī)?nèi)容，希望對(duì)大家有所幫助。如果您想要了解更多磁控濺射鍍膜設(shè)備機(jī)的知識(shí)，歡迎撥打圖片上的熱線(xiàn)聯(lián)系我們。

磁控濺射原理

濺射過(guò)程即為入射離子通過(guò)--系列碰撞進(jìn)行能量和動(dòng)量交換的過(guò)程。

電子在電場(chǎng)的作用下加速飛向基片的過(guò)程中與Ar原子發(fā)生碰撞，電離出大量的Ar離子和電子，電子飛向基片，在此過(guò)程中不斷和Ar原子碰撞，產(chǎn)生更多的Ar離子和電子。Ar離子在電場(chǎng)的作用下加速轟擊靶材，濺射出大量的靶材原子，呈中性的靶原子(或分子)沉積在基片上成膜。中頻交流濺射技術(shù)還應(yīng)用于孿生靶(Twin2Mag)濺射系統(tǒng)中,中頻交流孿生靶濺射是將中頻交流電源的兩個(gè)輸出端,分別接到閉合磁場(chǎng)非平衡濺射雙靶的各自陰極上,因而在雙靶上分別獲得相位相反的交流電壓,一對(duì)磁控濺射靶則交替成為陰極和陽(yáng)極。

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