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磁控濺射鍍膜機原理

由此可見，濺射過程即為入射離子通過一系列碰撞進行能量交換的過程，入射離子轉移到逸出的濺射原子上的能量大約只有原來能量的1%，大部分能量則通過級聯(lián)碰撞而消耗在靶的表面層中，并轉化為晶格的振動。濺射原子大多數(shù)來自靶表面零點幾納米的淺表層，可以認為靶材濺射時原子是從表面開始剝離的。如果轟擊離子的能量不足，則只能使靶材表面的原子發(fā)生振動而不產(chǎn)生濺射。磁場與電場的交互作用使單個電子軌跡呈三維螺旋狀，而不是僅僅在靶面圓周運動。如果轟擊離子能量很高時，濺射的原子數(shù)與轟擊離子數(shù)之比值將減小，這是因為轟擊離子能量過高而發(fā)生離子注入現(xiàn)象的緣故。

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磁控濺射鍍膜機

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ITO 薄膜的磁控濺射靶主要分為InSn 合金靶、In2O3-SnO2 陶瓷靶兩類。在用合金靶制備ITO 薄膜時,由于濺射過程中作為反應氣體的氧會和靶發(fā)生很強的電化學反應,靶面覆蓋一層化合物,使濺射蝕損區(qū)域縮得很小(俗稱“靶zhong毒”) ,以至很難用直流濺射的方法穩(wěn)定地制備出的ITO 膜。也就是說,采用合金靶磁控濺射時,工藝參數(shù)的窗口很窄且極不穩(wěn)定。陶瓷靶因能抑制濺射過程中氧的選擇性濺射,能穩(wěn)定地將金屬銦和錫與氧的反應物按所需的化學配比穩(wěn)定地成膜,故無zhong毒現(xiàn)象,工藝窗口寬,穩(wěn)定性好。但這不等于說陶瓷靶解決了所有的問題,其薄膜光電性能仍然受制于基底溫度、濺射電壓、氧含量等主要工藝參數(shù)的影響,不同工藝制備出的ITO 薄膜的光電性能相差甚遠。為此前處理的過程包括機械清洗(打磨、毛刷水洗、去離子水沖洗、冷熱風刀吹凈)、烘烤、輝光等離子體轟擊等。因此,開展ITO陶瓷靶磁控濺射工藝參數(shù)的優(yōu)化研究很有意義。

磁控濺射鍍膜機的注意事項

1、保持機器內艙各部位的清潔；

2、關注真空度指標；

3、檢查并記錄抽真空的時間，如有延長，立刻檢查造成的原因；

4、記錄濺射功率和時間（一般濺射機的銀靶設定功率為0.6千瓦，金靶的設定功率為0.75千瓦，鉻的行走速率為9000pps），如有異常，立刻檢查造成的原因；

5、根據(jù)鍍出石英振子的散差，調整遮擋板的各部尺寸；

6、濺鍍后的石英振子要用3M膠帶檢查其牢固度；

7、測試并記錄鍍好的石英振子主要指標，如：頻率、電阻、DLD等；

8、將不良品挑出：電極錯位、劃傷、臟污、掉銀等（工位上要有不良品示意圖）。

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磁控濺射原理

濺射過程即為入射離子通過--系列碰撞進行能量和動量交換的過程。

電子在電場的作用下加速飛向基片的過程中與Ar原子發(fā)生碰撞，電離出大量的Ar離子和電子，電子飛向基片，在此過程中不斷和Ar原子碰撞，產(chǎn)生更多的Ar離子和電子。Ar離子在電場的作用下加速轟擊靶材，濺射出大量的靶材原子，呈中性的靶原子(或分子)沉積在基片上成膜。中頻交流濺射技術還應用于孿生靶(Twin2Mag)濺射系統(tǒng)中,中頻交流孿生靶濺射是將中頻交流電源的兩個輸出端,分別接到閉合磁場非平衡濺射雙靶的各自陰極上,因而在雙靶上分別獲得相位相反的交流電壓,一對磁控濺射靶則交替成為陰極和陽極。

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