氣相化學(xué)沉積設(shè)備廠家-沈陽(yáng)鵬程真空技術(shù)-氣相化學(xué)沉積設(shè)備

ICP刻蝕機(jī)的結(jié)構(gòu)

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ICP設(shè)備主要包括預(yù)真空室、刻蝕腔、供氣系統(tǒng)和真空系統(tǒng)四部分。

（1）預(yù)真空室預(yù)真空室的作用是確保刻蝕腔內(nèi)維持在設(shè)定的真空度，不受外界環(huán)境（如：粉塵、水汽）的影響，將危險(xiǎn)性氣體與潔凈廠房隔離開(kāi)來(lái)。它由蓋板、機(jī)械手、傳動(dòng)機(jī)構(gòu)、隔離門等組成。

（2）刻蝕腔體刻蝕腔體是ICP 刻蝕設(shè)備的結(jié)構(gòu)，氣相化學(xué)沉積設(shè)備廠家，它對(duì)刻蝕速率、刻蝕的垂直度以及粗糙度都有直接的影響。刻蝕腔的主要組成有：上電極、ICP 射頻單元、RF 射頻單元、下電極系統(tǒng)、控溫系統(tǒng)等組成。

（3）供氣系統(tǒng)供氣系統(tǒng)是向刻蝕腔體輸送各種刻蝕氣體，氣相化學(xué)沉積設(shè)備，通過(guò)壓力控制器（PC）和質(zhì)量流量控制器（MFC）準(zhǔn)確的控制氣體的流速和流量。氣體供應(yīng)系統(tǒng)由氣源瓶、氣體輸送管道、控制系統(tǒng)、混合單元等組成。

（4）真空系統(tǒng)真空系統(tǒng)有兩套，分別用于預(yù)真空室和刻蝕腔體。預(yù)真空室由機(jī)械泵單獨(dú)抽真空，只有在預(yù)真空室真空度達(dá)到設(shè)定值時(shí)，才能打開(kāi)隔離門，進(jìn)行傳送片。刻蝕腔體的真空由機(jī)械泵和分子泵共同提供，刻蝕腔體反應(yīng)生成的氣體也由真空系統(tǒng)排空。

化學(xué)氣相沉積法在金屬材料方面的使用

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鈀的化學(xué)氣相沉積Pd 及其合金對(duì)氫氣有著極強(qiáng)的吸附作用以及特別的選擇滲透性能，是一種存儲(chǔ)或者凈化氫氣的理想材料。對(duì)于Pd 的使用大多是將鈀合金或是鈀鍍層生產(chǎn)氫凈化設(shè)備 。也有些學(xué)者使用化學(xué)氣相沉積法將鈀制成薄膜或薄層。具體做法是使用分解溫度極低的金屬有機(jī)化合物當(dāng)做制備鈀的材料，具體包括：烯丙基Pd（η-C3H5） （η-C5H5）以及 Pd（η-C3H5）（CF3COCHCOCF3）之類的材料，使用這種方式能夠制取出純度很高的鈀薄膜。

等離子體化學(xué)氣相沉積的化學(xué)反應(yīng)

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等離子體內(nèi)的化學(xué)反應(yīng)

由于輝光放電過(guò)程中對(duì)反應(yīng)氣體的激勵(lì)主要是電子碰撞，因此等離子體內(nèi)的基元反應(yīng)多種多樣的，氣相化學(xué)沉積設(shè)備公司，而且等離子體與固體表面的相互作用也非常復(fù)雜，這些都給PECVD技術(shù)制膜過(guò)程的機(jī)理研究增加了難度。迄今為止，許多重要的反應(yīng)體系都是通過(guò)實(shí)驗(yàn)使工藝參數(shù)較優(yōu)化，從而獲得具有理想特性的薄膜。對(duì)基于PECVD技術(shù)的硅基薄膜的沉積而言，如果能夠深刻揭示其沉積機(jī)理，便可以在保證材料優(yōu)良物性的前提下，大幅度提高硅基薄膜材料的沉積速率。

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