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發布時間：2021-10-23 05:22
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光刻膠去除
半導體器件制造技術中，通常利用光刻工藝將掩膜板上的掩膜圖形轉移到半導體結構表面的光刻膠層中。通常光刻的基本工藝包括涂膠、曝光和顯影等步驟。
在現有技術中，去除光刻膠層的方法是利用等離子體干法去膠。將帶有光刻膠層的半導體結構置于去膠機內，在射頻電壓的能量的作用下，灰化氣體被解離為等離子體。所述等離子體和光刻膠發生反應，從而將光刻膠層去除。
而在一些半導體器件設計時，考慮到器件性能要求，需要對特定區域進行離子注入，使其滿足各種器件不同功能的要求。一部分閃存產品前段器件形成時，需要利用前面存儲單元cell區域的層多晶硅與光刻膠共同定義摻雜的區域，由于光刻膠是作為高濃度金屬摻雜時的阻擋層，在摻雜的過程中，光刻膠的外層吸附了一定濃度的金屬離子，這使得光刻膠外面形成一層堅硬的外殼。用RR5去膠液可以很容易的去膠NR9-3000PY的制作和工藝是根據職業和環境的安全而設計。
這層堅硬的外殼可以采取兩種現有方法去除:方法一，采用濕法刻蝕，但這種工藝容易產生光刻膠殘留；雖然使用更薄的膠層厚度可以改善負性膠的分辨率，但是薄負性膠會影響孔。方法二，先通過干法刻蝕去除硬光刻膠外殼，再采用傳統的干法刻蝕去光刻膠的方法去除剩余的光刻膠的方法，但是這種方式增加了一步工藝流程，浪費能源，而且降低了生產效率；同時，傳統的光刻膠干法刻蝕去除光刻膠時，光刻膠外面的外殼阻擋了光刻膠內部的熱量的散發，光刻膠內部膨脹應力增大，導致層多晶硅倒塌的現象。
NR9-1000py
問題回饋：
1．我們是LED制造商，麻煩推薦幾款可以用于離子蝕刻和Lift-off工藝的光刻膠。
A 據我所知，Futurrex
有幾款膠很，NR7-1500P
NR7-3000P是專門為離子蝕刻
設計的，NR9-3000PY可以用于Lift-off上的應用。
2．請問有沒有可以替代goodpr1518，Micropure去膠液和goodpr顯影液的產品？
A 美國光刻膠，Futurrex
正膠PR1-2000A
, 去膠液RR4，和顯影液RD6可以解決以上問題。
3．你們是否有可以替代Shipley
S1805的用于DVD的應用產品？
A 我們建議使用Futurrex
PR1-500A , 它有幾個優點：比較好的解析度，比較好的線寬控制，
反射比較少，不需要HMDS，RIE后去除容易等~
4． 求助，耐高溫的光阻是那一種？
A Futurrex, NR7 serious(負光阻)Orpr1 serious(正光阻)，再經過HMCTS
silyiation process,可以達到耐高溫200度，PSPI透明polyimide,可耐高溫250度以上。
5．厚膜光阻在鍍金應用上，用哪一種比較理想？
A Futurrex , NR4-8000P比干膜，和其他市面上的濕膜更加適合，和理想。
6．請教LIFT-OFF制程哪一種光阻適合？
A 可以考慮使用Futurrex
，正型光阻PR1，負型光阻用NR1&NR7,它們都可以耐高溫180度，完全可以取代一般制作PATTERN的光阻。
7．請問，那位知道，RIE
Mask,用什么光阻比較好？
A 正型光阻用PR1系列，負型光阻使用NR5，兩種都可以耐高溫180度。
8．一般厚膜制程中，哪一種光阻適合？
A NR9-8000P有很高的深寬比（超過4：1），一般厚膜以及，MEMS產品的高需求。
9．在DEEP
RIE和MASK 可以使用NRP9-8000P嗎？
A 建議不使用，因為使用NR5-8000更加理想和適合。
10．我們是OLED，我們有一種制程上需要一層SPACER，那種光阻適合？
A 有一種膠很適合，美國Futurrex
生產的NR1-3000PY
and和
NR1-6000PY,都適合在OLED制程中做spacers
?Futurrex
提供先進化學技術的多樣化解決方案
成立于1985年,總部設在美國新澤西州，富蘭克林市,高速成長并超過20年連續盈利的跨國公司
公司業務覆蓋范圍包括北美，亞太以及歐洲
基于多樣化的技術
應用領域：微電子、光電子、LED、太陽能光伏、微機電系統、生物芯片、微流體、平面印刷
解決方案：的光刻膠、摻雜涂層、平坦化涂層、旋制氧化硅(spin-onglase)。阻擋層(Barrior Layere)、濕法制程
客戶：從財富100強到以風險投資為背景的設備研發及制造公司
使命
目標
提供特殊化學品和全新工藝來增加客戶的產能
策略
提供獨特的產品來優化生產制程，以提高設備能效
領的技術提升生產過程中的整體性價比
工藝步驟的減少降低了成本和產生瑕疵的可能
增加客戶的產能和生產的效率
工藝減化
非同尋常的顯微構造、金屬及介電層上的圖形轉換、光刻、平坦化、摻雜、蝕刻、邦定
在生產過程中，不含有害溶劑
支持所有客戶的需要，與客戶共創成功
